江西兆驰半导体有限公司张彩霞获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其外延生长方法、发光二极管芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210368204.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其外延生长方法、发光二极管芯片是由张彩霞;印从飞;程金连;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其外延生长方法、发光二极管芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管外延片及其外延生长方法、发光二极管芯片，发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长于衬底之上的低温缓冲层、岛状生长层、三维岛合并层及GaN层；三维岛合并层包括依次层叠生长的AlN子层、AlxGa1‑xN子层、Si掺杂的GaN子层以及SiN子层；AlxGa1‑xN子层当中的x沿其外延生长方向渐变降低，Si掺杂的GaN子层的Si掺杂浓度沿其外延生长方向渐变升高。本发明通过采用由AlN子层、AlxGa1‑xN子层、Si掺杂的GaN子层以及SiN子层依次层叠生长而成的三维岛合并层，并搭配特定的生长条件，可以大幅降低GaN层的错位密度，得到表面平整度较高的发光二极管外延片，同时减少量子阱内缺陷，有利于发光强度提升，增加其抗静电能力。
本发明授权发光二极管外延片及其外延生长方法、发光二极管芯片在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，以及依次生长于所述衬底之上的低温缓冲层、岛状生长层、三维岛合并层及GaN层； 所述三维岛合并层包括依次层叠生长的AlN子层、AlxGa1-xN子层、Si掺杂的GaN子层以及SiN子层，AlN子层和AlxGa1-xN子层的生长温度比岛状生长层的生长温度高，Si掺杂的GaN子层和SiN子层的生长温度比AlN子层和AlxGa1-xN子层的生长温度高； 其中，所述AlxGa1-xN子层当中的x沿其外延生长方向渐变降低，所述Si掺杂的GaN子层的Si掺杂浓度沿其外延生长方向渐变升高。
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