北京北方华创微电子装备有限公司王松获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210492946.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工艺腔室是由王松;陈星;赵晋荣;韦刚设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺腔室在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、设置在腔体中的卡盘和设置在腔体上方的上电极组件，上电极组件包括上射频电源、上匹配器和至少一个射频线圈，上射频电源用于通过上匹配器向射频线圈提供射频功率，以使射频线圈激发腔体中的气体产生等离子体，上电极组件还包括至少一个并联电容，射频线圈的第一端与上匹配器连接，射频线圈的第二端接地，并联电容连接在对应的射频线圈的第一端与第二端之间，并联电容与对应的射频线圈具有不低于射频电源的工作频率的固有谐振频率。在本发明中，并联电容与对应的射频线圈具有不低于工作频率的固有谐振频率，能够有效降低射频线圈上的欧姆损耗，提高上电极射频馈入效率，进而提升机台的稳定性及可靠性。
本发明授权半导体工艺腔室在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，包括腔体、设置在所述腔体中的卡盘和设置在所述腔体上方的上电极组件，所述上电极组件包括上射频电源、上匹配器和至少一个射频线圈，所述上射频电源用于通过所述上匹配器向所述射频线圈提供射频功率，以使所述射频线圈激发所述腔体中的气体产生等离子体，其特征在于，所述上电极组件为电感耦合等离子体产生装置，所述上电极组件还包括至少一个并联电容，所述射频线圈的第一端与所述上匹配器连接，所述射频线圈的第二端接地，每个所述并联电容与至少一个所述射频线圈对应，所述并联电容连接在对应的所述射频线圈的第一端与第二端之间，所述并联电容与对应的所述射频线圈具有固有谐振频率，且所述固有谐振频率不低于所述射频电源的工作频率。
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