台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司藤原英弘获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司申请的专利包括硅通孔的存储器宏获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114822609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110263207.8,技术领域涉及:G11C5/02;该发明授权包括硅通孔的存储器宏是由藤原英弘;黄智强;郑宏正;陈炎辉;廖宏仁;张琮永;李云汉;鲁立忠设计研发完成,并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括硅通孔的存储器宏在说明书摘要公布了:本公开涉及包括硅通孔的存储器宏。一种存储器宏结构包括:第一存储器阵列;第二存储器阵列;单元激活电路,耦合到所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列并且位于所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列之间;控制电路,耦合到所述单元激活电路并且被定位为与所述单元激活电路相邻;以及硅通孔TSV,延伸穿过所述单元激活电路或所述控制电路中的一者。
本发明授权包括硅通孔的存储器宏在权利要求书中公布了:1.一种存储器宏结构,位于集成电路管芯中,所述存储器宏结构包括: 第一存储器阵列; 第二存储器阵列; 单元激活电路,耦合到所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列,并且位于所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列之间; 控制电路,耦合到所述单元激活电路,并且被定位为与所述单元激活电路相邻;以及 硅通孔TSV,所述TSV跨越所述集成电路管芯的正面和背面并延伸穿过所述单元激活电路或所述控制电路中的一者。
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