株式会社村田制作所大部功获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利双极晶体管以及高频功率放大器模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210311146.2，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权双极晶体管以及高频功率放大器模块是由大部功;梅本康成;柴田雅博;小屋茂树;近藤将夫;筒井孝幸设计研发完成，并于2018-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本双极晶体管以及高频功率放大器模块在说明书摘要公布了：本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
本发明授权双极晶体管以及高频功率放大器模块在权利要求书中公布了：1.一种双极晶体管，其中，具有： 集电极层，其形成在由化合物半导体构成的基板上； 基极层，其形成在上述集电极层上； 发射极层，其形成在上述基极层上； 基极电极，其一部分设置在上述发射极层的部分区域上，并且其另一部分在上述发射极层和上述基极层上方在平面图中朝向上述基极层的边缘延伸；以及 绝缘膜，其设置在上述基极电极的上述另一部分与上述发射极层的一部分之间以及上述基极电极的上述另一部分与上述基极层的一部分之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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