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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823884B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110798618.7，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由下条亮平;南川阳代;早濑茂昭设计研发完成，并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具备半导体部、第一、第二电极、控制电极以及控制布线。所述半导体部包括第一～第六层。所述半导体部设于所述第一以及第二电极之间。所述第二层设于所述第一层与所述第二电极之间，所述第三层设于所述第二层与所述第二电极之间。所述第四层以及所述第五层在所述第一层与所述第一电极之间排列。所述控制电极以及所述控制布线在所述半导体部上排列。所述控制电极设于所述第二电极与所述半导体部之间。所述第六层设于所述第一层与所述控制布线之间，所述第五层位于所述第一电极与所述第六层之间。所述第一层在所述第五层与所述第六层之间包含载流子陷阱。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体部，包含第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多个第四半导体层、多个第五半导体层、第六半导体层及第七半导体层，所述第一半导体层、所述第三半导体层以及多个所述第五半导体层具有第一导电型，所述第二半导体层、多个所述第四半导体层、所述第六半导体层以及所述第七半导体层具有第二导电型； 第一电极，设于所述半导体部的背面上； 设于所述半导体部的表面上的至少一个第二电极，所述半导体部、所述第一电极以及所述第二电极在从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向上排列，所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设于所述第二半导体层与所述第二电极之间，并与所述第二电极电连接，多个所述第四半导体层以及多个所述第五半导体层设于所述第一半导体层与所述第一电极之间，在与所述第一方向交叉的第二方向上交替地沿着所述半导体部的所述背面排列，并以分别与所述第一电极电连接的方式设置； 控制电极，设于所述半导体部与所述第二电极之间，且配置于设置在所述半导体部的沟槽的内部，通过覆盖所述沟槽的内表面的第一绝缘膜而与所述半导体部电绝缘，隔着所述第一绝缘膜而与所述第一半导体层以及所述第二半导体层相对，通过第二绝缘膜而与所述第二电极电绝缘；以及 控制布线，在所述半导体部的所述表面上隔着第三绝缘膜而设置，与所述第二电极分离地配置，并与所述控制电极电连接， 所述第六半导体层设于所述第一半导体层与所述控制布线之间， 所述第七半导体层设于所述第二半导体层与所述第二电极之间，所述第二半导体层经由所述第七半导体层与所述第二电极电连接， 所述第六半导体层以及所述第七半导体层分别包含浓度比所述第二半导体层的第二导电型杂质的浓度高的第二导电型杂质， 所述第六半导体层与所述第二半导体层连接，并与所述第二电极电连接， 多个所述第四半导体层以及多个所述第五半导体层包含设于所述第一电极与所述第六半导体层之间的部分， 所述第一半导体层包含多个载流子陷阱，该多个载流子陷阱设于所述第六半导体层与多个所述第四半导体层以及多个所述第五半导体层的所述部分之间。

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