江西兆驰半导体有限公司刘春杨获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824001B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210404564.6，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管是由刘春杨;胡加辉;吕蒙普;金从龙设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，所述外延片包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层；其中，所述量子阱层包括依次层叠设置的第一量子阱子层、第二量子阱子层以及第三量子阱子层，所述量子垒层包括周期性层叠在所述第三量子阱子层上的第一量子垒子层和第二量子垒子层，所述第一量子阱子层、所述第三量子阱子层以及所述第二量子垒子层均采用TMGa源进行生长，所述第二量子阱子层采用TEGa源进行生长和所述第一量子垒子层均采用TEGa源进行生长。本发明解决了现有技术中的外延片载流子迁移率低的问题。
本发明授权一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种外延片，包括多量子阱层，其特征在于，所述多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层； 其中，所述量子阱层包括依次层叠设置的第一量子阱子层、第二量子阱子层以及第三量子阱子层，所述量子垒层包括周期性层叠在所述第三量子阱子层上的第一量子垒子层和第二量子垒子层，所述第一量子阱子层、所述第三量子阱子层以及所述第二量子垒子层均采用TMGa源进行生长，所述第二量子阱子层和所述第一量子垒子层均采用TEGa源进行生长； 所述第一量子阱子层、第二量子阱子层以及第三量子阱子层均为AlxGa1-xN层，其中，0x0.2； 所述第一量子垒子层和第二量子垒子层均为AlyGa1-yN层，其中，0.3y0.8。
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