买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210462693.0，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种发光二极管外延结构及其制备方法是由谢志文;张铭信;陈铭胜设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管外延结构及其制备方法，方法包括：在衬底上生长缓冲层、三维成核层、未掺杂的GaN层、N型复合AlGaN插入层、N型GaN层、InGaNGaN多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层、P型GaN层及P型接触层；或在衬底上生长缓冲层、三维成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、N型复合AlGaN插入层、InGaNGaN多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层及P型GaN层；其中，N型复合AlGaN插入层包括依次交错层叠多个N型AlxInyGa1‑x‑yN层和N型AlzGa1‑zN层。通过调节AlxInyGa1‑x‑yN中In和Al的含量，避免其与GaN层及AlGaN层晶格不匹配的情况，减少裂片现象。

本发明授权一种发光二极管外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延结构，包括依次层叠的衬底、缓冲层、三维成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaNGaN多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层、P型GaN层以及P型接触层，其特征在于，还包括N型复合AlGaN插入层，所述N型复合AlGaN插入层设于所述未掺杂的GaN层与所述N型GaN层之间，或设于所述N型GaN层与所述InGaNGaN多量子阱层之间； 其中，所述N型复合AlGaN插入层包括交错层叠的多个N型AlxInyGa1-x-yN层和N型AlzGa1-zN层，其中0＜x＜1,0＜y＜1，x+y≤1，z＜x，所述N型GaN层及所述未掺杂的GaN层分别与所述N型复合AlGaN插入层中的N型AlxInyGa1-x-yN层层叠接触，或所述N型GaN层及所述InGaNGaN多量子阱层分别与所述N型复合AlGaN插入层中的N型AlxInyGa1-x-yN层层叠接触； 所述N型GaN层包括相邻生长的第一N型GaN层及第二N型GaN层，所述N型复合AlGaN插入层设于所述第一N型GaN层与所述第二N型GaN层之间，所述第一N型GaN层及所述第二N型GaN层分别与所述N型复合AlGaN插入层中的N型AlxInyGa1-x-yN层层叠接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。