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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器单元阵列下方的多路复用器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114913898B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111459049.X，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权存储器单元阵列下方的多路复用器是由何源;T·H·金设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器单元阵列下方的多路复用器在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器单元阵列下方的多路复用器。感测放大器可形成于存储器单元的竖直堆叠层的阵列的外部水平邻近处。可经由形成于所述阵列下方的多路复用器感测存储器单元，所述多路复用器可操作以将所述存储器单元耦合到的竖直感测线耦合到所述感测放大器耦合到的水平感测线。

本发明授权存储器单元阵列下方的多路复用器在权利要求书中公布了：1.一种用于感测存储器单元110；210-1，…，210-16；310-1，…，310-4；410-1，…，410-Q+7的存储器装置651，其包括： 存储器单元阵列101-1,101-2，…，101-N；653，其包括： 存储器单元的多个竖直堆叠的层430-1，…，430-P； 相应多个水平存取线107-1，…，107-B；207-1，…，207-16；407-1，…，407-4，其耦合到所述多个竖直堆叠的层中的每一个；以及 多个竖直感测线103-1，…，103-A；203-1，…，203-10；303-1，…，303-4；403-1，…，403-8，其耦合到所述多个竖直堆叠的层中的每一个； 所述阵列下方的半导体，其包括多个多路复用器232-1，…，232-16；332-1，…，332-4；432-1，…，432-4，所述多个多路复用器各自耦合到所述多个竖直感测线中的相应竖直感测线且耦合到相应水平感测线222-1-1,222-1-2，…，222-4-1,222-4-2；322-1-1,322-1-2，…，322-4-1,322-4-2；422-1,422-2；以及 多个感测放大器226-1，…，226-4；326-1，…，326-4，其各自耦合到相应对的水平感测线222-1-1,222-1-2，…，222-4-1,222-4-2；322-1-1,322-1-2，…，322-4-1,322-4-2；422-1,422-2； 其中所述多个多路复用器中的每一个包括相应对的晶体管549-1,549-2；及 其中所述相应对的晶体管经配置以使得： 所述相应对的晶体管中的第一个的激活致使相应的所述竖直感测线电耦合到相应的所述水平感测线；且 所述相应对的晶体管中的第二个的激活致使相应的所述竖直感测线从相应的所述水平感测线电去耦。

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