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龙图腾网获悉清华大学;国网湖北省电力有限公司申请的专利一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210375628.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法是由吴锦鹏;曾嵘;任春频;刘佳鹏;余占清;赵彪;屈鲁设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域，第一掺杂剂区域与阴极和第二掺杂剂区相连，第三掺杂剂区域与阳极和第二掺杂剂区域相连，其中，第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域包括高掺杂层和低掺杂层；低掺杂层与第二掺杂剂区域相连，高掺杂层与阳极相连；高掺杂层采用非整面均匀掺杂，形成局部的隔离区域。本发明的发射效率可控的半导体器件及其制作方法，可以通过改变局部掺杂的结构，灵活调整IGCT等器件的阳极发射效率。

本发明授权一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发射效率可控的半导体器件，包括：第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域，第一掺杂剂区域内包括发射极结构，所述发射极结构包括与第一掺杂剂区域相连的P+基区、在P+基区上形成的n+发射极、在n+发射极上形成的阴极；n+发射极、P+基区、第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域在纵向上依次堆叠；第三掺杂剂区域与阳极和第二掺杂剂区域相连，其中，第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，其特征在于， 所述第三掺杂剂区域包括依次连接的高掺杂层、第一低掺杂层和第二低掺杂层，所述第二低掺杂层与所述第二掺杂剂区域相连； 所述第一低掺杂层的掺杂浓度低于高掺杂层的高掺杂区域；所述第二低掺杂层的掺杂浓度低于第一低掺杂层； 第一低掺杂层的厚度大于高掺杂层；第二低掺杂层的厚度大于第一低掺杂层； 所述高掺杂层包括高掺杂区域和非高掺杂区域；高掺杂区域的掺杂浓度大于低掺杂层的掺杂浓度；非高掺杂区域作为隔离区域； 所述隔离区域设置在阳极侧，与门极侧的门极区域纵向相对。

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