万国半导体国际有限合伙公司阿拉什·萨莱米获国家专利权
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龙图腾网获悉万国半导体国际有限合伙公司申请的专利利用新的单元几何结构增强固态功率半导体器件特性获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210103430.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权利用新的单元几何结构增强固态功率半导体器件特性是由阿拉什·萨莱米;大卫·谢里登设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用新的单元几何结构增强固态功率半导体器件特性在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该器件包括重掺杂第一导电类型的衬底和在衬底上形成的轻掺杂第一导电类型的外延层。衬底和外延层之间的缓冲层以衬底和外延层之间的掺杂水平掺杂第一导电类型。一种单元，包括掺杂有在外延层中形成的第二导电性的本体区域。第二种导电类型与第一种导电类型相反。所述单元包括掺杂有第一导电类型且形成在至少所述本体区域中的源极区域。所述器件还包括掺杂有第二导电类型的短接区域，所述第二导电类型形成于外延层中，所述外延层通过所述单元的本体区域与所述单元的源极区域分离，其中所述短接区域与所述源极区域导电耦合。
本发明授权利用新的单元几何结构增强固态功率半导体器件特性在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 一个重掺杂第一导电类型的衬底； 一个轻掺杂第一导电类型的外延层，形成在衬底上； 一个位于衬底和外延层之间的缓冲层，所述缓冲层的掺杂水平介于衬底和外延层之间，且为第一导电类型； 一个单元，所述单元包括， 一个掺杂第二导电类型的本体区，形成在外延层中，其中第二导电类型与第一导电类型相反； 一个掺杂第一导电类型的源极区，至少形成在本体区中； 该器件还包括： 一个掺杂第二导电类型的短接区，形成在外延层中，所述短接区通过所述单元的本体区与所述单元的源极区隔开； 一个绝缘层，形成在所述短接区、所述本体区和所述源极区上方； 所述短接区通过穿过绝缘层电连接到所述短接区的短接接头、穿过所述绝缘层电连接到所述源极区的源极接头、以及电连接到所述短接接头和所述源极接头之间的功率金属层导电耦合到所述源极区，其中功率金属层形成在所述绝缘层上方。
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