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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种降低CMOS图像传感器暗电流和白像素的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975496B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210420889.3，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种降低CMOS图像传感器暗电流和白像素的方法是由孙卓;王明;李晓玉设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低CMOS图像传感器暗电流和白像素的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种降低CMOS图像传感器暗电流和白像素的方法，在半导体衬底上的表面上形成介质保护层，并且刻蚀所述介质保护层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽的内表面上形成衬垫层；执行预设轮数的介质层填充和回刻蚀工艺；后对所述沟槽内淀积的所述介质层顶部的间隙进行回刻蚀，以加大所述间隙并使得所述间隙下方的沟槽被剩余的且无间隙的所述介质层填充。通过先执行预设轮数的介质层填充和回刻蚀的工艺，之后沉积覆盖层形成所需的STI结构，能够减少介质层填充和回刻蚀的工艺的循环次数，有利于降低每轮介质填充和回刻蚀工艺中的回刻蚀时间，进而降低金属杂质污染的方法，提高产品良率。

本发明授权一种降低CMOS图像传感器暗电流和白像素的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低CMOS图像传感器暗电流和白像素的方法，其特征在于，包括如下步骤： 在半导体衬底上的表面上形成介质保护层，并且刻蚀所述介质保护层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成沟槽； 在所述沟槽的内表面上形成衬垫层1； 计算介质层4填充和回刻蚀工艺的预设轮数与半导体衬底中形成的沟槽深度之间的相关性关系，并将所述沟槽深度带入相关性关系，获得介质层4填充和回刻蚀工艺的预设轮数； 执行预设轮数的介质层4填充和回刻蚀工艺，每轮所述介质层4填充和回刻蚀工艺包括：先通过高密度等离子体化学气相沉积工艺对所述沟槽进行介质层4的填充；后对所述沟槽内淀积的所述介质层4顶部的间隙进行回刻蚀，以加大所述间隙并使得所述间隙下方的沟槽被剩余的且无间隙的所述介质层4填充； 沉积覆盖层5于所述沟槽和所述介质层4上，以在所述沟槽处形成浅槽隔离结构，且所述覆盖层5的沉积厚度与所述沟槽的深度和所述预设轮数相关； 所述回刻蚀的介质层4的厚度与所述回刻蚀前新沉积的介质层4的淀积厚度之比为0.15。

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