长江存储科技有限责任公司许新鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器装置及其操作方法、存储器系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114999547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210540184.5,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统是由许新鑫;李跃平;汤强设计研发完成,并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其操作方法、存储器系统在说明书摘要公布了:本发明实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统,所述存储器装置包括存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路;所述存储器阵列包括字线驱动器共用同一阱的第一存储块和第二存储块;所述外围电路被配置为:在执行第一编程验证恢复操作的过程中,对所述第一存储块的所有字线均施加第一恢复电压;在施加所述第一恢复电压后,对所述第一存储块的所有字线均施加第二恢复电压,以抑制所述第一存储块与所述第二存储块之间寄生场效应管带来的漏电;所述第一存储块为选中的存储块,所述第二存储块为未选中的存储块;所述第一恢复电压与所述第二恢复电压相同或不同。
本发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统在权利要求书中公布了:1.一种存储器装置,其特征在于,所述存储器装置包括:存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路;其中, 所述存储器阵列包括字线驱动器共用同一阱的第一存储块和第二存储块; 所述外围电路被配置为: 在执行第一编程验证恢复操作的过程中,对所述第一存储块的所有字线均施加第一恢复电压;在施加所述第一恢复电压后,对所述第一存储块的所有字线均施加第二恢复电压,以抑制所述第一存储块与所述第二存储块之间寄生场效应管带来的漏电;所述第一存储块为选中的存储块,所述第二存储块为未选中的存储块;所述第一恢复电压与所述第二恢复电压相同或不同。
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