浙江驰拓科技有限公司宫俊录获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种磁性存储单元及磁性存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110245652.1，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种磁性存储单元及磁性存储器是由宫俊录;简红;孙一慧;孟凡涛设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁性存储单元及磁性存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁性存储单元，从下至上依次包括第一电极、过渡组合层、磁性隧道结及第二电极；所述第一电极及所述第二电极用于与外部电路相连，并控制所述磁性隧道结的电阻态；所述过渡组合层包括层叠设置的硼提供层及硼吸附缓冲层。本发明通过设置所述过渡组合层，消除了金属电极与磁性隧道结的晶格结构不匹配而带来的应力问题，为磁性隧道结的生长提供了更好的母板，减小了磁性隧道结中的缺陷数量及内应力。在高温环境下，所述硼提供层及所述硼吸附缓冲层发生硼元素的扩散和吸附，该过程可有效减缓高温环境下磁性隧道结中其他膜层材料的界面扩散，改善了磁隧道结的界面结构质量。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的磁性存储器。
本发明授权一种磁性存储单元及磁性存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁性存储单元，其特征在于，从下至上依次包括第一电极、过渡组合层、磁性隧道结及第二电极； 所述第一电极及所述第二电极用于与外部电路相连，并控制所述磁性隧道结的电阻态； 所述过渡组合层包括层叠设置的硼提供层及硼吸附缓冲层； 所述过渡组合层从下至上依次包括第一硼吸附缓冲层、硼提供层及第二硼吸附缓冲层； 所述硼提供层为包括硼化钴、硼化铁、硼化镍、钴铁硼、钴铁铬硼、钴铁铬硼或硼化钽中的至少一种层。
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