株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社可知刚获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110878875.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由可知刚设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具有第一～第四电极、半导体部分、第一绝缘膜和第二绝缘膜。所述半导体部分具有第一～第三半导体层。第一导电型的所述第一半导体层设置于所述第一电极的上方，第二导电型的所述第二半导体层设置于所述第一半导体层的一部分的上方，第一导电型的所述第三半导体层设置于所述第二半导体层的上方。所述第二电极与所述第三半导体层接触，并与所述第二半导体层、所述第三半导体层及所述第二电极分离。所述第一绝缘膜覆盖所述第三电极。所述第四电极与所述第二电极连接，与所述第一半导体层及所述第三电极分离。所述第二绝缘膜设置于所述第四电极的侧面上，隔着空隙与所述第一半导体层对置，厚度随着朝向所述第一方向而变大。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一电极； 第一导电型的第一半导体层，设置于所述第一电极的上方； 第二导电型的第二半导体层，设置于所述第一半导体层的一部分的上方； 第一导电型的第三半导体层，设置于所述第二半导体层的至少一部分的上方； 第二电极，与所述第三半导体层接触； 第三电极，与所述第二半导体层、所述第三半导体层及所述第二电极分离； 第一绝缘膜，覆盖所述第三电极，与所述第二半导体层及所述第三半导体层接触； 第四电极，在从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向上延伸设置，与所述第二电极连接，并与所述第一半导体层及所述第三电极分离；以及 第二绝缘膜，设置于所述第四电极的侧面上，隔着空隙与所述第一半导体层对置，该第二绝缘膜的厚度随着朝向所述第一方向而变大， 所述空隙的宽度随着朝向所述第一方向而变小， 所述空隙的上端的宽度比所述空隙的下端的宽度小。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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