惠科股份有限公司卓恩宗获国家专利权
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龙图腾网获悉惠科股份有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210898927.6，技术领域涉及：H10D62/40；该发明授权薄膜晶体管及其制备方法、显示面板是由卓恩宗;杨凤云;袁海江设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，包括：提供基板，在所述基板表面形成绝缘层，所述基板和所述绝缘层构成半导体结构；及以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层，所述沟道层的材质包括微晶硅，所述预设条件包括预设温度区间。本申请的技术方案能够在保证沟道层有较佳的电子迁移率的同时其制备过程不对基板造成损伤。
本发明授权薄膜晶体管及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供基板，在所述基板表面形成绝缘层，所述基板和所述绝缘层构成半导体结构； 以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层，其中包括，以预设温度区间和第一气氛在所述半导体结构的表面形成第一沟道层，所述第一沟道层的材料包括本征微晶硅薄膜，所述第一气氛包括第一气体和第二气体，所述第一气体为还原性气体，所述第二气体包括含硅的化合物，所述第一气体和所述第二气体的气体流量比值在30-180之间； 对所述第一沟道层进行第二气氛处理，所述第二气氛为还原性气氛；及 在所述第一沟道层的表面形成第二沟道层，所述第二沟道层的材料包括掺杂微晶硅薄膜，所述第一沟道层和所述第二沟道层共同构成沟道层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人惠科股份有限公司，其通讯地址为：518101 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区工业二路1号惠科工业园厂房1栋一层至三层、五至七层，6栋七层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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