买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111001629.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由马场祥太郎;加藤浩朗;藤农佑树;富田幸太设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具备：硅层，位于硅基板与上部电极之间，具有单元区域、侧面和位于单元区域与侧面之间的末端区域；以及多晶硅部，被埋入到硅层的末端区域，与硅层接触，结晶颗粒密度比硅层高，包含重金属。硅层具有设在单元区域及末端区域中、且第1导电型杂质浓度比硅基板低、包含与多晶硅部所包含的重金属相同种类的重金属的第1导电型的漂移层。末端区域不包含与上部电极接触的基底层、与上部电极接触的源极层及栅极电极。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 上部电极； 下部电极； 第1导电型的硅基板，位于上述上部电极与上述下部电极之间，与上述下部电极接触； 硅层，位于上述硅基板与上述上部电极之间，具有单元区域、侧面和位于上述单元区域与上述侧面之间的末端区域； 绝缘膜，设在上述硅层与上述上部电极之间； 栅极电极，设在上述硅层的上述单元区域中； 栅极绝缘膜，设在上述栅极电极与上述硅层之间；以及 多晶硅部，被埋入到上述硅层的上述末端区域，结晶颗粒密度比上述硅层高，包含重金属， 上述硅层具有： 第1导电型的漂移层，设在上述单元区域及上述末端区域中，第1导电型杂质浓度比上述硅基板低，包含与上述多晶硅部所包含的重金属相同种类的重金属； 第2导电型的基底层，设在上述单元区域的上述漂移层上，与上述上部电极接触；以及 第1导电型的源极层，设在上述基底层上，与上述上部电极接触，第1导电型杂质浓度比上述漂移层高， 在上述单元区域，上述上部电极具有贯通上述绝缘膜并到达上述源极层及上述基底层的触头部， 上述末端区域不包含：与上述上部电极接触的上述基底层、与上述上部电极接触的上述源极层、及上述栅极电极， 上述单元区域的上述漂移层内的重金属浓度比上述多晶硅部与上述侧面之间的区域的上述漂移层内的重金属浓度高， 上述多晶硅部与上述硅层中的上述漂移层接触， 在上述末端区域的上表面，上述漂移层与上述上部电极不接触，隔着上述绝缘膜与上述上部电极对置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。