普列斯半导体有限公司安德烈亚·皮诺斯获国家专利权
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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利高分辨率单体式RGB阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115176347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180015481.1，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权高分辨率单体式RGB阵列是由安德烈亚·皮诺斯;西蒙·阿什顿;喻翔;乔纳森·希普设计研发完成，并于2021-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本高分辨率单体式RGB阵列在说明书摘要公布了：一种发光二极管结构，其包括p型区域和n型区域；以及发光区域，用于可由所述p型区域和所述n型区域注入的载流子的复合，其中，所述n型区域和所述p型区域中的至少一个至少部分地形成在穿过所述发光区域的通孔中，其中，所述通孔定义了至少一个像素的发光表面的边界。
本发明授权高分辨率单体式RGB阵列在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管结构，包括： p型区域； n型区域；和 发光区域，用于可由所述p型区域和所述n型区域注入的载流子的复合，其中所述n型区域和所述p型区域中的至少一个至少部分地形成在穿过所述发光区域的通孔中，其中所述通孔定义了至少一个像素的发光表面的边界。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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