上海传芯半导体有限公司林岳明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利掩模基版、掩模版及光刻设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115185153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210932696.6，技术领域涉及：G03F1/42；该发明授权掩模基版、掩模版及光刻设备是由林岳明;季明华;黄早红设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模基版、掩模版及光刻设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种掩模基版、掩模版及光刻设备。所述掩模基版包括：基底以及分别设置于所述基底两侧的第一遮光层和第二遮光层；其中，所述第一遮光层用于形成第一定位标识；所述第二遮光层用于形成第一掩模图案；所述第一定位标识和所述第一掩模图案应用于第一光刻。本发明提供的掩模基版、掩模版及光刻设备能够提高掩模版的空间利用率，进而提高晶圆的空间利用率，以降低半导体器件的生产成本。
本发明授权掩模基版、掩模版及光刻设备在权利要求书中公布了：1.一种掩模基版，其特征在于，包括：基底以及分别设置于所述基底两侧的第一遮光层和第二遮光层；其中， 所述第一遮光层用于形成第一定位标识； 所述第二遮光层用于形成第一掩模图案； 所述第一定位标识和所述第一掩模图案应用于第一光刻；所述第一定位标识与所述第一掩模图案在所述基底的正投影错位或交叠； 所述第一遮光层还用于形成第二掩模图案；所述第二遮光层还用于形成第二定位标识；所述第二定位标识和所述第二掩模图案应用于第二光刻；所述第二定位标识与所述第二掩模图案在所述基底的正投影错位或交叠； 其中，所述第一遮光层用于透射第一曝光光束，遮挡第二曝光光束，反射第一定位光束； 所述第二遮光层用于透射所述第二曝光光束，遮挡所述第一曝光光束，反射第二定位光束； 所述第一曝光光束的波长和所述第二曝光光束的波长不同，所述第一曝光光束用于所述第一光刻中第一掩模图案的曝光，所述第二曝光光束用于所述第二光刻中第二掩模图案的曝光； 所述第一定位光束用于所述第一光刻中第一掩模图案的定位，所述第二定位光束用于所述第二光刻中第二掩模图案的定位。
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