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龙图腾网获悉贵州电网有限责任公司申请的专利一种阵列式磁传感器及接地导体定位方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115201724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210405724.9，技术领域涉及：G01R33/06；该发明授权一种阵列式磁传感器及接地导体定位方法是由辛明勇;祝健杨;徐长宝;王宇;高吉普;文屹;吕黔苏;林呈辉;汪明媚;代奇迹;张历;孟令雯;张俊杰;李鑫卓;鲁彩江设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阵列式磁传感器及接地导体定位方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列式磁传感器及接地导体定位方法，该方法步骤如下：1根据阵列式AMR传感器布置探测接地导体方位；2根据步骤1中确定接地导体方位结合磁阻传感器布置计算被测接地导体的深度。本发明可对接地导体方位进行探测和接地网导体的深度信息，本发明能够实现接地导体的快速定位，定位精确可靠，方便进行腐蚀状态检测。

本发明授权一种阵列式磁传感器及接地导体定位方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阵列式磁传感器的接地导体定位方法，其特征在于：该方法步骤如下： 1根据阵列式AMR传感器布置的两两相对布置的两组水平磁阻传感器测得的磁感应强度判断接地导体方位； 2根据步骤1中得到的接地导体方位和一组竖直方向磁阻传感器布置，计算被测接地导体的深度； 步骤1中阵列式AMR传感器针对接地导体的方位判断时，在接地导体上方的水平面中心布置一个水平方向的磁阻传感器六，围绕该磁阻传感器六为中心布置磁阻传感器一、磁阻传感器二、磁阻传感器三和磁阻传感器四，根据两两相对布置的两组磁阻传感器测得的磁感应强度值的大小判断接地导体的埋设方位； 步骤2中被测接地导体的深度计算时，将磁阻传感器六置于被测接地导体中点的正上方，在磁阻传感器六中心布置竖直方向的磁阻传感器五，上方布置竖直方向的磁阻传感器七，根据磁阻传感器五和磁阻传感器七计算被测接地导体深度； 步骤1中埋设方位的确定方法为：设磁阻传感器一、磁阻传感器二、磁阻传感器三、磁阻传感器四和磁阻传感器六的磁感应强度分别为B1、B2、B3、B4和B6，接地导体的方位按方向指示方法确定，即当、和时，接地导体方向朝向正中；当和时，接地导体指向正后；当和时，接地导体方向指向正前；当和时，接地导体方向指向正左；当和，接地导体方向指向左后；当和时，接地导体方向指向左前；和时，接地导体方向指向正右；当和时，接地导体方向指向右后；当和时，接地导体方向指向右前； 被测接地导体的深度计算方法如下：设磁阻传感器五与磁阻传感器七沿方向的磁感应强度分别为和，根据和的比值采用数值逼近的方法进行被测接地导体的深度的求解。

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