上海新昇半导体科技有限公司权林获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新昇半导体科技有限公司申请的专利硅片加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110425507.1，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权硅片加工方法是由权林;曹共柏;林志鑫;潘帅设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅片加工方法，包括：建立第1至第n个单步工艺的平坦度模型，并据此建立最终产品的平坦度模型；根据最终产品的平坦度模型获得第m个单步工艺的目标平坦度，并结合第m个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m个单步工艺，并得到第m个单步工艺的实际平坦度；利用第m个单步工艺的实际平坦度调整第m+1个单步工艺的目标平坦度，结合第m+1个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m+1个单步工艺；其中，n为大于1的正整数，m＝1、2....n‑1。通过上述模型设定单步工艺的目标平坦度及优化对应单步工艺的工艺参数及设备参数，并针对前一单步工艺的目标平坦度及实际平坦度的差异，利用下一单步工艺进行调整，进而解决提高硅片平坦度的问题。
本发明授权硅片加工方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片的加工方法，其特征在于，用于加工同一硅片； 所述硅片的加工方法包括： 建立第1至第n个单步工艺的平坦度模型，并根据所述第1至第n个单步工艺的平坦度模型建立最终产品的平坦度模型； 根据所述最终产品的平坦度模型获得所述第m个单步工艺的目标平坦度，基于所述第m个单步工艺的平坦度模型以及第m个单步工艺的目标平坦度对产品硅片执行第m个单步工艺，并得到第m个单步工艺的实际平坦度数据； 根据所述第m个单步工艺的实际平坦度数据调整所述最终产品的平坦度模型以获得所述第m+1个单步工艺的目标平坦度，基于所述第m+1个单步工艺的平坦度模型以及第m+1个单步工艺的目标平坦度对所述产品硅片执行第m+1个单步工艺； 其中，n为大于1的正整数，m=1、2....n-1； 所述第1至第n个单步工艺依次为双面抛光工艺、最终抛光工艺以及外延工艺。
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