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SKC索密思株式会社李乾坤获国家专利权

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龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利空白掩模、光掩模及空白掩模的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115268209B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210449936.7,技术领域涉及:G03F1/50;该发明授权空白掩模、光掩模及空白掩模的制备方法是由李乾坤;曹河铉;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;郑珉交;金泰完设计研发完成,并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

空白掩模、光掩模及空白掩模的制备方法在说明书摘要公布了:本实施方式涉及空白掩模等,上述空白掩模包括透光基板及位于上述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧及氮中的至少一种。遮光膜表面的下述第一式的Mtr值为6以下:[第一式]Mtr=|Rsk|×Rku。在上述第一式中,上述|Rsk|是Rsk值的绝对值。如上所述的空白掩模等可以提高在涂布抗蚀剂时抗蚀膜之间的附着力,且在去除抗蚀图案时可有效地去除残留在遮光膜表面上的抗蚀剂的量。

本发明授权空白掩模、光掩模及空白掩模的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种空白掩模,其特征在于, 包括: 透光基板,以及 遮光膜,位于上述透光基板上;上述遮光膜包含过渡金属、氧及氮中的至少一种, 上述遮光膜包括: 第一遮光层,以及 第二遮光层,位于上述第一遮光层上; 上述第二遮光层的上述氮的含量和上述氧的含量的总和为10原子%至35原子%, 上述第一遮光层的上述氮的含量和上述氧的含量的总和为40原子%至70原子%, 上述第二遮光层包含55原子%至75原子%的过渡金属,上述第一遮光层包含35原子%至55原子%的过渡金属, 相对于上述第一遮光层的膜厚的上述第二遮光层的膜厚比率为0.05至0.3, 上述遮光膜表面的由下述第一式表示的Mtr值为6以下, 第一式: Mtr=|Rsk|×Rku 在上述第一式中, 上述|Rsk|是Rsk值的绝对值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人SKC索密思株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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