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中南大学张乔勋获国家专利权

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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种充电导体压裂裂缝的电磁异常计算方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115270446B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210846583.4,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种充电导体压裂裂缝的电磁异常计算方法是由张乔勋;李帝铨;李富设计研发完成,并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

一种充电导体压裂裂缝的电磁异常计算方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种充电导体压裂裂缝的电磁异常计算方法,包括以下步骤:S1、监测井位置、埋深,裂缝规模,供电电流与频率设置建立裂缝模型;S2、通过多层剖面参数换算出地层等效电阻率;S3、将充电导体剖分成Nd个电偶极源,获得每个电偶极源在地表的矢量位和标量位Φ;S4、根据电场和磁场计算公式获得电偶极源在地表的E和H值,确定参考点N,获得MN方向电场EMN和磁场HMN;S5、基于矢量叠加原理,将所有剖分的电偶极源的电磁场进行叠加,分别获取压裂前、后的电磁场,并通过差分计算得到压裂裂缝引起的电场异常Ea和磁场异常Ha。本发明旨在构建充电导体裂缝模型,获取压裂裂缝产生的电磁异常,为实现电磁监测裂缝识别提供理论基础。

本发明授权一种充电导体压裂裂缝的电磁异常计算方法在权利要求书中公布了:1.一种充电导体压裂裂缝的电磁异常计算方法,其特征在于,包括如下步骤: S1、监测井位置、埋深,裂缝规模,供电电流与频率设置建立裂缝模型; S2、通过多层剖面参数换算出地层等效电阻率; S3、将充电导线源剖分成Nd个电偶极源,获得每个电偶极源在地表的矢量位和标量位Φ; S4、电偶极源电磁场计算:根据电场和磁场计算公式获得电偶极源在地表的E和H值,确定参考点N,获得MN方向电场EMN和磁场HMN;步骤S4中,所述电偶极源在地表的电场和磁场表示为: 将式3和式4代入式5、式6,得均匀各向同性无限介质中供以时变电流时电偶极源激发的电场和磁场表达式分别为: 设为与的夹角,表示与MN的夹角,表示与MN的夹角,为与MN的夹角,则MN方向的电场和磁场表达式写成: S5、基于矢量叠加原理,将所有剖分的电偶极源的电磁场进行叠加,分别获取压裂前、后的电磁场,并通过差分计算得到压裂裂缝引起的电场异常Ea和磁场异常Ha。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中南大学,其通讯地址为:410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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