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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利RHBD-14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115273931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210817712.7，技术领域涉及：G11C11/411；该发明授权RHBD-14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块是由赵强;张茵;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本RHBD-14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块在说明书摘要公布了：本发明涉及RHBD‑14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块。基于源隔离技术的RHBD‑14T抗辐照SRAM存储单元包括PMOS晶体管P1～6和NMOS晶体管N0～7；P4和P3、P2和P5交叉耦合，两个主存储节点Q与QN通过N4与N5分别与位线BL和BLB相连，两个冗余存储节点S0与S1通过N6与N7分别与位线BL和BLB相连，N4～N7由字线WL控制，P1的源极和P6的源极共接VDD，N0的源极、N1的源极、N3的源极和N2的源极共接地。本发明通过在空间粒子轰击敏感节点时采用源隔离技术，令其仅产生微弱电压脉冲，不影响其余晶体管的状态，提高SRAM存储单元的抗SEU能力。

本发明授权RHBD-14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块在权利要求书中公布了：1.基于源隔离技术的RHBD-14T抗辐照SRAM存储单元，其特征在于，其包括： PMOS晶体管P1； PMOS晶体管P2，P2的源极与P1的漏极电连接； PMOS晶体管P3，P3的源极与P1的漏极、P2的源极电连接； PMOS晶体管P4，P4的栅极与P3的漏极电连接； PMOS晶体管P5，P5的源极与P4的源极电连接，P5的栅极与P2的漏极电连接； PMOS晶体管P6，P6的源极与P1的源极电连接，P6的漏极与P5的源极、P4的源极电连接，P6的栅极与P5的栅极、P2的漏极电连接； NMOS晶体管N0，N0的漏极与P5的漏极电连接，N0的栅极与P3的漏极电连接； NMOS晶体管N1，N1的漏极与P4的漏极电连接，N1的栅极与P5的栅极、P6的栅极、P2的漏极电连接，N1的源极与N0的源极电连接； NMOS晶体管N2，N2的漏极与P2的漏极电连接，N2的栅极与P4的漏极、N1的漏极电连接，N2的源极与N1的源极、N0的源极电连接； NMOS晶体管N3，N3的漏极与P3的漏极、P4的栅极、N0的栅极、N5的漏极电连接，N3的栅极与P1的栅极、P2的栅极、P5的漏极、N0的漏极电连接，N3的源极与N2的源极、N1的源极、N0的源极电连接； NMOS晶体管N4，N4的漏极与N1的漏极电连接，N4的栅极与字线WL电连接，N4的源极与位线BL电连接； NMOS晶体管N5，N5的漏极与N3的漏极电连接，N5的栅极与字线WL电连接，N5的源极与位线BLB电连接； NMOS晶体管N6，N6的漏极与N0的漏极电连接，N6的栅极与字线WL电连接，N6的源极与位线BL电连接； NMOS晶体管N7，N7的漏极与N2的漏极电连接，N7的栅极与字线WL电连接，N7的源极与位线BLB电连接； 晶体管P4和P3、P2和P5交叉耦合，P1和P6作为上拉管，N0、N1、N2和N3作为下拉管，两个主存储节点Q与QN通过N4与N5分别与位线BL和BLB相连，两个冗余存储节点S0与S1通过N6与N7分别与位线BL和BLB相连，N4、N5、N6、N7由字线WL控制，P1的源极和P6的源极共接VDD，N0的源极、N1的源极、N3的源极和N2的源极共接地。

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