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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种RHC-16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210942405.1，技术领域涉及：G11C11/411；该发明授权一种RHC-16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块是由郝礼才;董汉文;程伟;张茵;赵强;彭春雨;卢文娟;高珊;蔺智挺;吴秀龙设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种RHC-16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种RHC‑16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块。一种基于极性加固技术的RHC‑16T抗辐射SRAM单元包括四个PMOS晶体管P1～P4和十二个NMOS晶体管N1～N12；位线BL与N9和N11源极电连接，位线BLB与N10和N12源极电连接；字线WL与N9、N10、N11和N12栅极电连接；N9的漏极与P2的漏极电连接，N10的漏极与P1的漏极电连接，N11的漏极与N3的漏极电连接，N12的漏极与N4的漏极电连接。本发明通过在P3、N7和P4、N8中间分别加入N3和N4来阻断反馈环路，提高单元的稳定性，令单元有着就较快的读写速度，较高的稳定性以及较强的抗辐射性能。

本发明授权一种RHC-16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块在权利要求书中公布了：1.一种基于极性加固技术的RHC-16T抗辐射SRAM单元，其特征在于，其包括： PMOS晶体管P1； PMOS晶体管P2：P2的源极与P1的源极电连接，P2的漏极与P1的栅极电连接，P2的栅极与P1的漏极电连接； PMOS晶体管P3：P3的源极与P2的源极电连接； PMOS晶体管P4：P4的源极与P3的源极电连接； NMOS晶体管N1：N1的漏极与P1的源极、P2的栅极电连接，N1的栅极与P1的栅极、P2的漏极电连接； NMOS晶体管N2：N2的源极与N1的源极电连接，N2的漏极与P2的漏极电连接，N2的栅极与P2的栅极、P1的漏极电连接； NMOS晶体管N3：N3的源极与P3的漏极电连接，N3的漏极与P4的栅极电连接，N3的栅极与N1的栅极电连接； NMOS晶体管N4：N4的源极与P4的漏极电连接，N4的漏极与P3的栅极电连接，N4的栅极与N2的栅极电连接； NMOS晶体管N5：N5的漏极与N1的栅极、N3的栅极电连接，N5的栅极与P3的栅极、N4的漏极、N3的漏极电连接； NMOS晶体管N6：N6的源极与N5的源极电连接，N6漏极与N2的栅极、N4的栅极电连接，N6的栅极与P4的栅极电连接； NMOS晶体管N7：N7的源极与N6的源极电连接，N7的漏极与N3的漏极电连接，N7的栅极与P3的栅极、N5的栅极、N4的漏极电连接； NMOS晶体管N8：N8的源极与N7的源极电连接，N8的漏极与N4的漏极电连接，N8的栅极与P4的栅极、N6的栅极电连接； NMOS晶体管N9：N9的源极与位线BL电连接，N9的漏极与P1的栅极电连接，N9的栅极与字线WL电连接； NMOS晶体管N10：N10的源极与位线BLB电连接，N10的漏极与P2的栅极电连接，N10的栅极与字线WL电连接； NMOS晶体管N11：N11的源极与位线BL电连接，N11的漏极与N7的漏极电连接，N11的栅极与字线WL电连接； NMOS晶体管N12：N12的源极与位线BLB电连接，N12的漏极与N8的漏极电连接，N12的栅极与字线WL电连接； VDD与P1、P2、P3和P4的源极电连接，VSS与N1、N2、N5、N6、N7和N8的源极电连接； N9、N10、N11、N12的漏极分别与节点S1、S0、Q和QN相连； 晶体管P1、N1和P2、N2分别构成反相器一，两个反相器一交叉耦合；P3、N7和P4、N8分别构成反相器二，在两个反相器二中间分别加入N3和N4来阻断反馈环路，用以提高存储单元稳定性。

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