高通股份有限公司杨海宁获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180022548.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件是由杨海宁;李夏;杨斌设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件在说明书摘要公布了：一种集成器件，包括衬底以及位于该衬底之上的第一晶体管，其中该第一晶体管包括栅极。该集成器件包括耦合到第一晶体管的栅极的第一栅极接触件，其中第一栅极接触件被配置为电耦合到该集成器件的互连件。该集成器件包括耦合到该栅极的第二栅极接触件，其中第二栅极接触件仅直接电耦合到该栅极。
本发明授权包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件在权利要求书中公布了：1.一种集成器件，包括： 衬底，所述衬底包括第一有源区、第二有源区以及位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的场区； 第一晶体管，位于所述衬底之上，其中所述第一晶体管包括所述第一有源区和栅极； 第二晶体管，位于所述衬底之上，其中所述第二晶体管包括所述第二有源区和所述栅极； 第一栅极接触件，耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述栅极，其中所述第一栅极接触件被配置为电耦合到所述集成器件的互连件；以及 第二栅极接触件，耦合到所述栅极，其中所述第二栅极接触件完全位于所述衬底的所述场区之上，其中所述第二栅极接触件仅直接电耦合到所述栅极，并且 其中所述第一栅极接触件位于所述衬底的所述场区之上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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