普列斯半导体有限公司安德烈亚·皮诺斯获国家专利权
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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利高分辨率单体式RGB阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180022522.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权高分辨率单体式RGB阵列是由安德烈亚·皮诺斯;金俊允;萨米尔·迈祖阿里;谭唯欣设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本高分辨率单体式RGB阵列在说明书摘要公布了：一种发光二极管结构包括：p型区；n型区；发光区，该发光区用于可由该p型区和该n型区注入的载流子的复合；以及穿过该发光区的通孔，其中，该通孔限定至少一个像素的发光表面的边界并且包括被配置为使得载流子能够注入到该p型区或该n型区中的材料，其中，该p型区和该n型区中的一个被配置为使得在该p型区和该n型区中的一个中生成的载流子在该发光区中复合之前扩散穿过该n型区和p型区中的另一个。
本发明授权高分辨率单体式RGB阵列在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管结构，包括： p型区； n型区； 发光区，所述发光区用于可由所述p型区和所述n型区注入的载流子的复合，其中所述p型区和所述n型区在所述发光区的同一侧；以及 穿过所述发光区的通孔，其中，所述通孔限定至少一个像素的发光表面的边界并且包括被配置为使得载流子能够注入到所述p型区或所述n型区中的材料，其中，所述p型区和所述n型区中的一个被配置为使得在该p型区或该n型区中生成的载流子在所述发光区中复合之前扩散穿过所述p型区和所述n型区中的另一个。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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