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龙图腾网获悉北京知存科技有限公司申请的专利闪存芯片及其编程方法和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115331722B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211017547.3，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权闪存芯片及其编程方法和测试方法是由王春明;伍峰;郭昕婕设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存芯片及其编程方法和测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存芯片及其编程方法和测试方法。闪存芯片包括控制器和与控制器电连接的闪存阵列，闪存阵列中多个闪存单元阵列排布；闪存芯片还包括：多条控制栅线，每条控制栅线连接一行闪存单元的第一端；多条擦除栅线，每条擦除栅线连接一列闪存单元的第二端；多条选择栅线，每条选择栅线连接一行闪存单元的第三端；控制器用于通过选择栅线向第i行闪存单元提供选择电压，以及通过擦除栅线向第j列闪存单元提供选中电压选中位于第i行第j列的待编程闪存单元时，通过控制栅线向第p行闪存单元提供预设电压，i≥1，j≥1，p≥1，且p不等于i。本发明实施例的技术方案可以减小对已编程的闪存单元产生干扰，提高了编程数据精度。

本发明授权闪存芯片及其编程方法和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存芯片，其特征在于，包括：控制器和与所述控制器电连接的闪存阵列，其中闪存阵列中多个闪存单元阵列排布； 所述闪存芯片还包括：多条控制栅线，所述控制栅线沿第一方向延伸，所述第一方向为所述闪存单元阵列排布的行方向，每条所述控制栅线连接一行所述闪存单元的第一端； 多条擦除栅线，所述擦除栅线沿第二方向延伸，所述第二方向为所述闪存单元阵列排布的列方向，每条所述擦除栅线连接一列所述闪存单元的第二端； 多条选择栅线，所述多条选择栅线沿所述第一方向延伸，每条所述选择栅线连接一行所述闪存单元的第三端； 其中，所述多条擦除栅线和所述多条选择栅线用于选择待编程闪存单元； 所述控制器用于通过所述选择栅线向第i行所述闪存单元提供选择电压，以及通过所述擦除栅线向第j列所述闪存单元提供选中电压选中位于第i行第j列的待编程闪存单元时，通过所述控制栅线向第p行所述闪存单元提供预设电压，其中i≥1，j≥1，p≥1，且p不等于i。

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