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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利等离子处理装置以及等离子处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115349164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180005331.2，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法是由江藤宗一郎;冈本翔;中元茂;臼井建人设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子处理装置以及等离子处理方法在说明书摘要公布了：等离子处理装置以及方法对配置于真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置以及方法中，在所述处理对象的晶片的处理中的给定的多个时刻从所述晶片表面接受多个波长的光，在使用将表示该接受到多个波长的光的强度的信息和表示预先取得的所述多个波长的光的强度的数据进行比较的结果来检测所述处理对象的晶片的处理中的处理的量的情况下，基于表示预先在多个晶片各自的所述处理中取得的来自各个该晶片的表面的光的所述多个波长的光的强度的数据，将各晶片彼此之间的相似度数值化，将对应于被数值化的所述相似度而选择的至少1个数据和表示在所述处理对象的晶片的处理中得到的所述多个波长的光的强度的数据进行比较，来检测所述处理的量。

本发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子处理装置，对配置于真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，所述等离子处理装置的特征在于，具备： 受光器，其在所述处理对象的晶片的处理中的给定的多个时刻从所述晶片的表面接受多个波长的光；和 检测器，其使用将表示所接受的所述多个波长的光的强度的数据和表示预先取得的所述多个波长的光的强度的比较数据进行比较的结果，来检测所述处理对象的晶片的处理中的处理的量， 所述检测器基于表示预先在多个晶片各自的所述处理中取得的来自各个该晶片的表面的光的所述多个波长的光的强度的数据，将各晶片彼此之间的相似度数值化，将基于被数值化的所述相似度选择的至少1个数据作为所述比较数据，将该比较数据和表示在所述处理对象的晶片的处理中得到的所述多个波长的光的强度的数据进行比较，来检测所述处理的量， 所述检测器根据表示预先在所述多个晶片各自的所述处理中取得的所述多个波长的光的强度的多个数据，将各波长下的各个膜厚的光谱的值与所述光谱的平均值的差作为误差，来将所述相似度数值化，将所述误差的总和的值成为最大的晶片和成为最小的晶片、以及作为给定的晶片的成为将该误差的总和成为所述最大的晶片的误差的总和与成为所述最小的晶片的所述误差的总和之间的差实质地等分的值的晶片的光谱的模式作为数据库，基于所述数据库来选择作为所述比较数据的数据。

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