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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利等离子处理装置以及等离子处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398603B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180005324.2，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法是由田中优贵;一野贵雅;中谷信太郎;荣岛隆介设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子处理装置以及等离子处理方法在说明书摘要公布了：使成品率得以提升的等离子处理装置具备：配置于真空容器内部且在内侧形成等离子的处理室；配置于该处理室内且在上表面搁放处理对象的晶片的样品台；配置于该样品台内部的具有圆板或圆筒形状的金属制的基材；在该基材的内部绕着其中心同心状多重配置并在内侧流通调节成预先确定的温度的冷媒的冷媒流路；配置于该冷媒流路与所述基材的上表面之间并探测温度的至少1个温度传感器；和使用来自该温度传感器的输出来检测所述基材或搁放于所述样品台上的处理中的所述晶片的温度的控制器。所述控制器在将根据所述温度传感器的输出得到的温度与实际的所述基材或所述晶片的温度之间的差设为误差时，基于表征所述误差与所述冷媒的设定温度的关系的一次函数来检测所述基材或所述晶片的温度，所述一次函数对应于所述冷媒的能调节的温度的范围内的多个连续的温度范围的各区域而不同，多个所述一次函数包含相同系数且具有所述误差成为0的点。

本发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子处理装置，其特征在于，具备： 配置于真空容器内部且在内侧形成等离子的处理室； 配置于所述处理室内且在上表面搁放处理对象的晶片的样品台； 配置于所述样品台且在内部具备流通温度调节过的冷媒的冷媒流路的金属制的基材； 配置于所述冷媒流路与所述基材的上表面之间来探测温度的至少1个温度传感器；和 使用来自所述温度传感器的输出来检测所述基材或搁放于所述样品台上的处理中的所述晶片的温度的控制器， 所述控制器在将根据所述温度传感器的输出得到的温度与实际的所述基材或所述晶片的温度之间的差设为误差时，基于表征所述误差与所述冷媒的设定温度的关系的一次函数来检测所述基材或所述晶片的温度， 所述一次函数对应于所述冷媒的能调节的温度的范围内的多个连续的温度范围的各区域而不同，多个所述一次函数包含相同系数且具有所述误差成为0的点。

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