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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种CZT辐照损伤模拟准确性的验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211011844.7，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种CZT辐照损伤模拟准确性的验证方法是由张翔;许成刚;邓嘉豪;龚慧培;曹萌设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CZT辐照损伤模拟准确性的验证方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碲锌镉CZT辐照损伤模拟准确性的验证方法，所述基于SRIM软件的两个软件包去模拟研究CZT材料的辐照损伤的方法，使用机器学习建模得到回归曲线验证模拟结果的准确性，提高模拟计算速度。在离子投影射程分布数据集中，机器学习的线性回归模型比对数回归模型的拟合效果更好，在H离子和He离子的投影射程拟合中线性回归的决定系数都是大于0.98，而对数回归模型的决定系数都仅大于0.60。本发明方法对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域，能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

本发明授权一种CZT辐照损伤模拟准确性的验证方法在权利要求书中公布了：1.一种CZT辐照损伤模拟准确性的验证方法，其特征在于：使用开源的SRIM软件，采用SR模式模拟H、He离子的运动过程，辐照离子为H离子和He离子，靶材料为CZT；采用H离子、He离子轰击CZT靶材，通过SRIM软件中的SR软件包分析H离子和He离子在靶材中的能量损失和穿透能力数据，并且对结果进行分析比较，并使用机器学习算法，建立线性回归与对数回归模型拟合结果分析；其中，采用TRIM模式模拟H、He离子的辐照损伤效应，将模拟所得数据的vacancy.txt文件代入公式： 从公式1-1中可以获得CZT晶体的空位产生率；其中表示注入剂量，表示原子密度，#ofvacancies表示空位数，atoms表示原子量，Dpa表示位移损伤，即每单位距离有多少原子位移； 所述CZT辐照损伤模拟准确性的验证方法包括如下步骤： 1数据采集过程： 基于SRIM软件的两个软件包去模拟研究CZT材料的辐照损伤： 采用SR软件包，模拟CZT对不同带电离子的电子阻止本领和核阻止本领，模拟不同带电离子的穿透能力； 采用TRIM软件包，模拟不同入射能量和不同入射角度的离子对材料的辐照损伤情况和位移损伤中空位产生； 2机器学习建模过程： 基于机器学习算法，采用python编程语言，导入sklearnpandas库，读入数据集，预处理数据集，将数据集划分为训练集和测试集，建立线性回归模型，分别使用了线性回归模型和对数回归模型，将离子的入射能量作为特征值，投影射程作为目标值。

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