台湾积体电路制造股份有限公司桑吉夫·库马尔·甄恩获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器电路、写入驱动器及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210926635.9，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权存储器电路、写入驱动器及其操作方法是由桑吉夫·库马尔·甄恩;阿图尔·卡多奇设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器电路、写入驱动器及其操作方法在说明书摘要公布了：提供了用于限制SRAM单元中的负位线电压的系统和方法。可以在写入驱动器中实施电压限制器电路以控制施加在位线上的负电压的幅度。电压限制器电路可以在较低的操作电压电平下生成所需幅度的负位线电压。电压限制器电路还可以将负位线电压的幅度限制为不超过预定值。负位线电压幅度的降低可以降低SRAM单元的有效电源。本申请的实施例还提供了存储器电路、写入驱动器及其操作方法。
本发明授权存储器电路、写入驱动器及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种写入驱动器，被配置为接收数据信号、写入信号和负位线输入信号并且为存储器单元的两个位线中的一个生成负位线电压，所述写入驱动器包括： 电容器，响应于第一节点，被配置为在一时间段内提供所述负位线电压的转变；以及 电压限制器电路，被配置为控制所述第一节点处的电压，所述电压限制器电路被配置为限制所述存储器单元的所述两个位线中的所述一个上的所述负位线电压的幅度，使得所述幅度不超过预定阈值， 其中，所述电压限制器电路包括二极管电路，所述二极管电路被配置为将所述第一节点钳位在预定电压电平处，或者 所述电压限制器电路包括晶体管阵列，所述晶体管阵列被配置为接收多个电压阈值选择信号并且基于所述多个电压阈值选择信号将低有效负位线的节点钳位在多个预定电压电平中的一个处， 其中，经过限制的所述负位线电压的所述幅度与SRAM单元的操作电压不成比例。
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