江苏第三代半导体研究院有限公司李利哲获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利待刻蚀半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211241921.8，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权待刻蚀半导体器件及其制备方法是由李利哲;李增林设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本待刻蚀半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种待刻蚀半导体器件及其制备方法、半导体器件及其刻蚀方法。该待刻蚀半导体器件包括半导体器件本体和掩模层，所述半导体器件本体包括表面的待刻蚀层，所述掩模层位于所述待刻蚀层上，所述掩模层为图案化结构并具有用于露出所述待刻蚀层的若干开口，所述开口截面的上部宽度大于下部宽度，所述待刻蚀层对应所述掩模层的开口处的表面形成有若干凹坑，所述凹坑内设置有金属纳米颗粒。该半导体器件在进行光电化学刻蚀时可以提高刻蚀速率，且不会损伤沟槽侧壁。
本发明授权待刻蚀半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种待刻蚀半导体器件，其特征在于，包括： 半导体器件本体，所述半导体器件本体包括表面的待刻蚀层； 掩模层，所述掩模层位于所述待刻蚀层上，所述掩模层为图案化结构并具有用于露出所述待刻蚀层的若干开口，所述开口截面的上部宽度大于下部宽度，所述开口的尺寸从上至下逐渐缩小； 若干凹坑，分别形成于所述待刻蚀层对应所述开口处的暴露表面以及所述掩模层的侧壁；所述凹坑的深度为60-120nm，所述凹坑的开口直径为60-120nm； 金属纳米颗粒，设置于所述凹坑内；所述金属纳米颗粒为银或铜金属颗粒，所述金属纳米颗粒的直径范围为50-80nm； 其中，当入射光照射在所述待刻蚀层与所述掩模层上时，所述凹坑对所述入射光进行漫散射、所述金属纳米颗粒对所述入射光进行反射与折射，以延长所述入射光与所述待刻蚀层的接触时间。
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