应用材料公司崔振江获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于选择性金属化合物移除的系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032660.6，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权用于选择性金属化合物移除的系统及方法是由崔振江;王安川设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于选择性金属化合物移除的系统及方法在说明书摘要公布了：示例性的蚀刻方法可包括使含氟前驱物及含氢前驱物流至半导体处理腔室的远程等离子体区域中。可使含氢前驱物以相对于含氟前驱物的流动速率至少2:1的流动速率流动。方法可包括形成含氟前驱物及含氢前驱物的等离子体以产生等离子体流出物。方法可包括使等离子体流出物流至容纳基板的基板处理区域中。基板可包括钽或钛材料的暴露区域及含硅材料或金属的暴露区域。方法可包括用等离子体流出物接触基板。方法可包括相对于含硅材料或金属选择性移除钽或钛材料。
本发明授权用于选择性金属化合物移除的系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其包含以下步骤： 使含氟前驱物及含氢前驱物流至半导体处理腔室的远程等离子体区域中，其中使所述含氢前驱物以相对于所述含氟前驱物的流动速率至少2:1的流动速率流动； 形成所述含氟前驱物及所述含氢前驱物的等离子体以产生等离子体流出物； 使所述等离子体流出物流至容纳基板的基板处理区域中，其中所述基板包含钽或钛材料的暴露区域及含硅材料的暴露区域； 用所述等离子体流出物接触所述基板；及 相对于所述含硅材料选择性移除所述钽或钛材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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