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龙图腾网获悉锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利平衡半导体器件性能的栅极尺寸工艺优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115544946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211324943.0，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权平衡半导体器件性能的栅极尺寸工艺优化方法是由陈应杰;叶甜春;陈少民;李彬鸿设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本平衡半导体器件性能的栅极尺寸工艺优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平衡半导体器件性能的栅极尺寸工艺优化方法，其可实现晶体管栅极尺寸缩小，可满足晶体管性能平衡的调整需求，晶圆上分布有若干半导体器件，半导体器件均包括栅极，工艺优化方法包括：将栅极划分为调整区、非调整区，在非调整区覆盖第一光罩，对调整区的栅极尺寸进行一次调节，对一次调节后的栅极尺寸进行测量，获得第一栅极尺寸，测量获取一次调节后的半导体器件的电学性能参数，判断电学性能参数的值是否在预设阈值范围内，若是，则无需再次调节，若不是，则进入步骤S7，预设阈值范围根据至少两个相同或相关联半导体器件的平衡性确定，对不符合要求的半导体器件的栅极尺寸进行至少一次选择性调节。

本发明授权平衡半导体器件性能的栅极尺寸工艺优化方法在权利要求书中公布了：1.一种平衡半导体器件性能的栅极尺寸工艺优化方法，用于对晶圆上的半导体器件栅极尺寸进行调整，所述晶圆上分布有若干半导体器件，所述半导体器件均包括栅极，其特征在于，栅极尺寸优化的工艺步骤包括：S1、对所述栅极进行划分：将栅极划分为调整区、非调整区； S2、在所述非调整区覆盖第一光罩； S3、对所述调整区的栅极尺寸进行一次调节；所述栅极尺寸包括栅极长度；所述一次调节指对所述半导体器件的栅极长度进行一次削减；所述一次削减指采用光刻工艺对所述调整区的栅极进行刻蚀，将所述栅极长度由宽度a调整为宽度b，宽度b小于宽度a S4、对一次调节后的栅极尺寸进行测量，获得第一栅极尺寸； S5、测量获取一次调节后的半导体器件的电学性能参数； S6、判断电学性能参数的值是否在预设阈值范围内，若是，则表明一次调节后的半导体器件的电学性能符合要求，无需再次调节，若否，则进入步骤S7，所述预设阈值范围根据至少两个相同或相关联半导体器件的平衡性确定； S7、对不符合要求的半导体器件的栅极尺寸进行至少一次选择性调节，直至所述半导体器件的电学性能参数的值落入所述预设阈值范围； 步骤S5中，所述电学性能参数包括半导体器件的导通速度，相关联半导体器件的电压差，所述预设阈值范围包括：导通速度阈值范围、电压差阈值范围； 步骤S6中，判断电学性能参数的值是否符合预设阈值范围的具体步骤包括：S61、将所述导通速度与导通速度阈值范围进行对比，将电压差与电压差阈值范围进行对比； S62、若所述导通速度超出所述导通速度阈值范围，和或所述电压差超出所述电压差阈值范围，则表明所述电学性能不符合要求，进入步骤S7，反之，则表明一次削减后的半导体器件的电学性能符合要求，无需进行选择性调节； 步骤S7中，所述选择性调节的步骤包括：S71，将所述调整区中的不符合电学性能要求的栅极区域选定为二次调整区，其余为非二次调整区； S72、在所述非二次调整区覆盖第二光罩； S73、对所述二次调整区的栅极尺寸进行二次削减，所述二次削减指采用光刻工艺对所述二次调整区的栅极进行刻蚀，将栅极长度由宽度b调整为宽度c，宽度c小于宽度b。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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