中微半导体设备(上海)股份有限公司叶如彬获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利等离子体约束环、等离子体处理设备及处理半导体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110723909.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体约束环、等离子体处理设备及处理半导体的方法是由叶如彬设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体约束环、等离子体处理设备及处理半导体的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种等离子体约束环、等离子体处理设备及处理半导体的方法，所述等离子体约束环设置在等离子体处理设备的反应腔内，等离子体约束环包括环形侧壁和与环形侧壁固定连接的气体通道壁；环形侧壁放置于支撑环上，支撑环与反应腔的侧壁固定；隔热缝隙，其设置在环形侧壁中，用于减慢热量从气体通道壁向反应腔的侧壁传递。本发明使得等离子约束环的温度达到预设的温度并保持，由此实现防止聚合物沉积的目的。
本发明授权等离子体约束环、等离子体处理设备及处理半导体的方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体约束环，其设置在等离子体处理设备的反应腔内，所述等离子体约束环包括环形侧壁和与环形侧壁固定连接的气体通道壁；所述环形侧壁放置于支撑环上，所述支撑环与所述反应腔的侧壁固定，其特征在于，还包括：隔热缝隙，其设置在所述环形侧壁中，用于减慢热量从所述气体通道壁向反应腔的侧壁传递； 所述环形侧壁包括环形内侧壁和环形外侧壁，所述气体通道壁位于所述环形内侧壁和环形外侧壁之间，所述隔热缝隙位于所述环形内侧壁和或所述环形外侧壁中； 所述气体通道壁由多个不同直径的同心设置的嵌套环组成，多个嵌套环通过位于其下部的辐条与所述环形侧壁固定连接，所述辐条与所述环形内侧壁和或环形外侧壁连接处设有沿环形侧壁轴向延伸的缝隙C。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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