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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115659770B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211410685.8，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型是由李兴冀;刘中利;崔秀海;吕钢设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型在说明书摘要公布了：本发明提供了单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型，涉及计算机仿真技术领域，方法包括：获取单粒子的初始线性能量转移；将初始线性能量转移进行转换，得到目标线性能量转移，其中，初始线性能量以MeV·cm2mg为单位，目标线性能量转移以单位长度的电子‑空穴对为单位；当单粒子入射到具有敏感结的元器件后，获取单粒子的径向衰减长度和入射深度；根据目标线性能量转移、单粒子的径向衰减长度和入射深度，得到单粒子在入射路径上产生的电子空穴对的分布情况；根据分布情况构建单粒子瞬态脉冲仿真模型。与现有技术比较，解决了如何构建出准确的单粒子瞬态脉冲仿真模型，提高研究可靠性，缩短研究周期、降低研究成本。

本发明授权单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型在权利要求书中公布了：1.一种单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法，其特征在于，包括如下步骤： 获取单粒子的初始线性能量转移； 将所述初始线性能量转移进行转换，得到目标线性能量转移，其中，所述初始线性能量以MeV·cm2mg为单位，所述目标线性能量转移以单位长度的电子-空穴对为单位； 当所述单粒子入射到具有敏感结的元器件后，获取所述单粒子的径向衰减长度和入射深度； 根据所述目标线性能量转移、所述单粒子的径向衰减长度和入射深度，得到所述单粒子在入射路径上产生的电子空穴对的分布情况； 根据所述分布情况构建单粒子瞬态脉冲仿真模型， 其中，所述根据所述目标线性能量转移、所述单粒子的径向衰减长度和入射深度，得到所述单粒子在入射路径上产生的电子空穴对的分布情况，包括： 根据所述目标线性能量转移和所述单粒子的径向衰减长度得到峰值密度； 根据所述峰值密度、所述单粒子的径向衰减长度和入射深度，通过式三计算得到所述单粒子在入射路径上产生的电子空穴对的分布情况，所述式三为： ； 其中，r为所述单粒子的入射深度，r0为所述单粒子的入射中心，为径向衰减长度，为所述单粒子在入射路径上产生的电子空穴对的分布，NPK为所述峰值密度，且所述峰值密度为所述电子空穴对的峰值密度。

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