中国科学院微电子研究所户权获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利滤光结构及其制造方法、成像系统及成像方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115685695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211260982.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权滤光结构及其制造方法、成像系统及成像方法是由户权;吴晓斌;沙鹏飞;谢婉露;韩晓泉;王魁波;罗艳;李慧;马赫;谭芳蕊设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本滤光结构及其制造方法、成像系统及成像方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种滤光结构及其制造方法、成像系统及成像方法。该滤光结构包括由下而上依次层叠的锆膜、中间层膜和铝膜；所述中间层膜包括钼膜、铌膜或氮化锆膜。该滤光结构的制造方法包括：提供第一预设厚度的锆膜；在所述锆膜上镀上第二预设厚度的中间层膜，所述中间层膜包括钼膜、铌膜或氮化锆膜；在所述中间层膜上镀上第三预设厚度的铝膜，得到滤光结构。本申请实施例提供的滤光结构包括由下而上依次层叠的锆膜、中间层膜和铝膜，能够在很大程度上滤除杂散光，大大消除了杂散光的影响，从而提高了极紫外成像的成像质量，解决了相关技术中存在的对于杂散光的滤除效果不佳，受到杂散光的影响较大，导致极紫外成像系统的成像质量不高的技术问题。
本发明授权滤光结构及其制造方法、成像系统及成像方法在权利要求书中公布了：1.一种滤光结构，其特征在于，包括由下而上依次层叠的锆膜、中间层膜和铝膜；所述中间层膜包括钼膜、位于所述钼膜上的铌膜、以及位于所述铌膜上的氮化锆膜。
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