宁波飞芯电子科技有限公司雷述宇获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波飞芯电子科技有限公司申请的专利一种半导体激光发射器及获得其功耗的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115693400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110862064.2,技术领域涉及:H01S5/183;该发明授权一种半导体激光发射器及获得其功耗的方法是由雷述宇设计研发完成,并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光发射器及获得其功耗的方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体激光发射器,其特征在于,包括:阴极与阳极,以及第一区域与第二区域;所述第一区域包括:电容,电感,以及电阻;所述第二区域包括:电容,功耗模块,以及输出功率模块,通过如此设计,可以确定半导体激光发射器的DBR功耗,DBR电阻以及载流子泄露引起的功耗。
本发明授权一种半导体激光发射器及获得其功耗的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体激光发射器的等效电路,其特征在于,包括:阴极与阳极,以及第一区域与第二区域;所述第一区域包括:寄生电容,寄生电感、焊盘电阻以及DBR电阻;所述第二区域包括:台面电容,有源区电容、载流子泄露功耗模块,以及输出功率模块;所述寄生电容的第一极板与所述阳极连接,所述寄生电容的第二极板与所述阴极连接,所述寄生电感一端与所述阳极连接,所述寄生电感另一端与所述焊盘电阻的一端连接,所述焊盘电阻的另一端与所述DBR电阻的一端连接; 所述台面电容、所述有源区电容、所述功耗模块以及输出功率模块并联,并联的一端与所述DBR电阻的另一端连接,并联的另一端与所述阴极连接。
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