华中科技大学李祎获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种自整流忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115697033B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211393196.6，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种自整流忆阻器及其制备方法是由李祎;任升广;缪向水设计研发完成，并于2022-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自整流忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种自整流忆阻器及其制备方法，包括：衬底、第一电极、阻态切换层、势垒阻挡层以及第二电极；阻态切换层包括一层金属化合物层或者多层金属化合物层；势垒阻挡层包括一层金属化合物层或者多层金属化合物层，且阻态切换层和势垒阻挡层不同时只包括一层金属化合物层；第二电极功函数大于第一电极功函数；当阻态切换层或势垒阻挡层包括多层金属化合物层，沿着第一电极到第二电极的方向各层金属化合物层的空位浓度由高到低梯度变化；阻态切换层中金属化合物层的空位浓度最低值大于势垒阻挡层中金属化合物层的空位浓度最高值。本发明使得自整流忆阻器可以在低阻值区域或者高阻值区域均能具有多个中间状态，即多重电导值。
本发明授权一种自整流忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自整流忆阻器，其特征在于，由下至上依次包括：衬底、第一电极、阻态切换层、势垒阻挡层以及第二电极； 所述阻态切换层包括一层金属化合物层或者多层金属化合物层； 所述势垒阻挡层包括一层金属化合物层或者多层金属化合物层，且所述阻态切换层和势垒阻挡层不同时只包括一层金属化合物层； 所述第二电极的功函数大于第一电极的功函数； 当所述阻态切换层包括多层金属化合物层，沿着第一电极到第二电极的方向各层金属化合物层的空位浓度由高到低梯度变化； 当所述势垒阻挡层包括多层金属化合物层，沿着第一电极到第二电极的方向各层金属化合物层的空位浓度由高到低梯度变化； 所述阻态切换层中金属化合物层的空位浓度最低值大于势垒阻挡层中金属化合物层的空位浓度最高值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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