普列斯半导体有限公司安德烈亚·皮诺斯获国家专利权
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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利形成光学器件的方法以及光学器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180040184.2，技术领域涉及：H10H20/856；该发明授权形成光学器件的方法以及光学器件是由安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里;谭唯欣;约翰·莱尔·怀特曼设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成光学器件的方法以及光学器件在说明书摘要公布了：一种形成光学器件的方法，该方法包括以下步骤：在牺牲台面的基本竖直侧壁上形成间隔件，这些间隔件由第一电绝缘光学透明材料形成，并具有接触台面的内部面和第二相反的外部面；沉积反射导电材料，以便在这些间隔件的外部面上形成镜层；移除牺牲台面，以便在间隔件的内部面之间形成凹穴；将具有基本竖直侧壁的管芯安装到在间隔件的内部面之间的凹穴中。
本发明授权形成光学器件的方法以及光学器件在权利要求书中公布了：1.一种形成光学器件的方法，该方法包括以下步骤： a在台面上形成间隔件，该台面具有基本竖直侧壁，这些间隔件由第一电绝缘光学透明材料形成，并具有面向该台面的侧壁的内部面和第二相反的外部面； b沉积反射导电材料，以便在这些间隔件的外部面上形成镜层； c移除台面，以便在间隔件的内部面之间形成凹穴；以及 d将具有基本竖直侧壁的管芯安装到在这些间隔件的内部面之间的该凹穴中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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