欣兴电子股份有限公司陈禹伸获国家专利权
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龙图腾网获悉欣兴电子股份有限公司申请的专利内埋元件基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115714119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110967490.2，技术领域涉及：H10W70/60；该发明授权内埋元件基板及其制作方法是由陈禹伸;蓝仲宇设计研发完成，并于2021-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本内埋元件基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种内埋元件基板及其制作方法，本发明的内埋元件基板制作方法对复合内层线路结构进行钻孔形成芯片容置槽，且使线路层的元件接点端突出于槽内的设置侧壁，再将芯片元件置入槽内并将表面接点与元件接点端接合；或者，提供二复合内层线路结构，线路层的元件接点端突出于第一复合内层线路结构的侧面，将芯片元件的表面接点与元件接点端接合后，再将第二复合内层线路结构与芯片元件的另一表面黏合；上述制作方法使得芯片元件直向地贯穿至少二线路层，且表面接点与至少一元件接点端接合，降低芯片元件在单一线路层内的占用面积，增加线路的设置空间及芯片元件的可设置数量。
本发明授权内埋元件基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种内埋元件基板，其特征在于，包含： 一复合内层线路结构，包含多个线路层，且所述多个线路层中具有至少一元件接点端； 一芯片元件，内埋于所述复合内层线路结构内，且贯穿所述多个线路层中的至少二线路层，所述芯片元件具有一顶面及相对所述顶面的一底面，所述芯片元件于所述底面具有至少一表面接点；所述芯片元件以所述至少一表面接点与所述多个线路层中的所述至少一元件接点端直接连接； 所述复合内层线路结构具有一芯片容置槽，所述芯片容置槽贯穿所述多个线路层中的至少二线路层，所述芯片容置槽具有一设置侧壁，所述至少一元件接点端突出于所述芯片容置槽的所述设置侧壁； 所述芯片元件设置于所述芯片容置槽中，所述芯片元件的所述底面面向所述芯片容置槽中的设置侧壁，所述表面接点与所述至少二线路层的元件接点端直接连接。
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