超威半导体公司真下进获国家专利权
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龙图腾网获悉超威半导体公司申请的专利用于页面-局部基于增量的预取器的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115715391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180045404.0，技术领域涉及：G06F12/0862；该发明授权用于页面-局部基于增量的预取器的方法和装置是由真下进;约翰·卡拉马丁纳斯设计研发完成，并于2021-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于页面-局部基于增量的预取器的方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种方法，该方法包括：记录第一组连续存储器访问增量，其中这些连续存储器访问增量中的每个连续存储器访问增量表示由应用程序访问的两个存储器地址之间的差；基于该第一组存储器访问增量来更新预取训练表中的值；以及响应于第二组连续存储器访问增量并且基于该预取训练表中的值来预测用于预取的一个或多个存储器地址。
本发明授权用于页面-局部基于增量的预取器的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 记录第一组连续存储器访问增量，其中所述连续存储器访问增量中的每个连续存储器访问增量表示由应用程序访问的两个存储器地址之间的差； 基于所述第一组连续存储器访问增量来通过将所述第一组连续存储器访问增量的第一子集从局部模式缓冲器复制到预取训练表来更新所述预取训练表中的值；以及 响应于第二组连续存储器访问增量并且基于所述预取训练表中的值来预测用于预取的一个或多个存储器地址。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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