华进半导体封装先导技术研发中心有限公司陈钏获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利冷却结构的异质集成封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115719735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211582222.X，技术领域涉及：H10W40/47；该发明授权冷却结构的异质集成封装结构及其形成方法是由陈钏;付融;王启东设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本冷却结构的异质集成封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及冷却结构的异质集成封装结构及其形成方法，其中双面冷却结构的异质集成封装结构包括：微流道转接板，其正面具有第一微流道；玻璃晶圆，其与所述微流道转接板的正面的两侧阳极键合，其中所述玻璃晶圆具有空腔，所述空腔与所述第一微流道连通；芯片堆叠结构，其与所述微流道转接板的正面的中部区域连接；微流道液冷板，其正面与所述芯片堆叠结构连接，且所述微流道液冷板的背面具有第二微流道，所述第二微流道与所述玻璃晶圆的空腔连通。通过玻璃晶圆实现上下流道的互通，可靠性高，玻璃晶圆耐腐蚀，不容易老化，降低了长期使用失效的风险。
本发明授权冷却结构的异质集成封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种双面冷却结构的异质集成封装结构，其特征于，包括： 微流道转接板，其正面具有第一微流道；所述微流道转接板的正面中间区域的第一微流道密封，两侧的第一微流道未密封； 玻璃晶圆或硅晶圆，其与所述微流道转接板的正面连接，其中所述玻璃晶圆或硅晶圆具有空腔，所述空腔与所述第一微流道连通；所述玻璃晶圆与所述微流道转接板阳极键合；或所述玻璃晶圆或硅晶圆与所述微流道转接板通过介质层熔融键合； 芯片堆叠结构，其与所述微流道转接板的正面的中部区域连接； 微流道液冷板，其正面与所述芯片堆叠结构连接，且所述微流道液冷板的背面具有第二微流道，所述第二微流道与所述玻璃晶圆或硅晶圆的空腔连通。
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