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龙图腾网获悉上海理工大学申请的专利一种基于SnO2@MoS2纳米复合材料的气敏元件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115753894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211533445.7，技术领域涉及：G01N27/00；该发明授权一种基于SnO2@MoS2纳米复合材料的气敏元件及制备方法是由王丁;孙倩楠;卢政;田悦诚;曹文杰;李慧珺;李贵生设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SnO2@MoS2纳米复合材料的气敏元件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体纳米材料技术领域，具体公开了一种基于分级三维SnO2@MoS2纳米复合材料的二甲苯气敏材料及气敏元件制作方法。该气敏材料以SnO2纳米纤维为骨架，通过简单水热方法在其表面生长均匀的MoS2纳米片，然后经过热处理获得三维分级SnO2@MoS2纳米复合材料；将所得分级SnO2@MoS2纳米复合材料与无水乙醇以4：1的比例混合搅拌成糊状，均匀涂敷在陶瓷管电极表面，内部添加电热丝，按照半导体气敏元件进行焊接、老化、封装，制备出二甲苯气敏元件。该气敏元件在二甲苯气体检测方面具有抗湿度干扰能力强、灵敏度高、对目标气体选择性好、稳定性好等特点，可用于环境中二甲苯气体的检测。

本发明授权一种基于SnO2@MoS2纳米复合材料的气敏元件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于三维分级SnO2@MoS2纳米复合材料的二甲苯气敏元件，其特征在于，包含SnO2@MoS2纳米复合材料，还包括采用半导体式管式、平板、微热板电极制作的半导体式气敏元件； 所述三维分级SnO2@MoS2纳米复合材料，由SnO2纳米纤维骨架和其表面组装生长的均匀MoS2纳米片阵列组成； 所述SnO2纳米纤维骨架的形貌均一，且表面粗糙，直径为210-230nm；所述MoS2纳米片会自组装形成花朵形状，阵列的高度有序，其片层厚度为140-150nm；所述SnO2@MoS2复合材料的外径为240-260nm； 所述SnO2@MoS2纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤： S1：在800-1000rpm搅拌下，将1.2gPVP缓慢加入到装有8mL乙醇的烧杯中，搅拌均匀得到溶液1；同时在800-1000rpm搅拌下将0.15gmLSnCl2·2H2O加入N,N-二甲基甲酰胺中，搅拌均匀得到溶液2，将溶液1和溶液2混合并磁力搅拌形成均匀的粘性透明溶液；将粘性透明溶液经静电纺丝后收集得到纺丝前驱体，对纺丝前驱体进行煅烧后得SnO2纳米纤维； S2：将0.2mmolNH46Mo7O24·4H2O和6.1mmolCH4N2S在剧烈搅拌下溶解在装有40mL去离子水的烧杯中搅拌混合制得溶液放入容器中，然后向容器内加入S1中的SnO2纳米纤维室温下浸泡在容器内整夜，之后在干燥箱中干燥来收集样品； S3：先将0.2mmolNH46Mo7O24·4H2O和6.1mmolCH4N2S在剧烈搅拌下溶解在去离子水中，搅拌10分钟后得到混合溶液，再将混合溶液转移到具有聚四氟乙烯衬底的密封高压釜中，最后将S2中样品添加到密封高压釜中进行加热，在210℃下加热12h，加热完成后冷却至室温并倒出上清液，再通过离心收集黑色沉淀物，洗涤干燥，60℃干燥箱中干燥过夜，得到SnO2@MoS2纳米复合材料； S1中所述静电纺丝的工艺为：环境相对湿度为10%～50%，收集板与注射器针尖的电压为18kV、收集板与注射器针尖的距离为20cm； S1中所述纺丝前驱体的煅烧过程为：在升温速率为1～3℃min升温至600℃后保温5h。

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