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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利确定纳米光刻技术工艺窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115755540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211532593.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权确定纳米光刻技术工艺窗口的方法是由刘丽红;韦亚一;董立松;张利斌;丁虎文设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本确定纳米光刻技术工艺窗口的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，所述方法包括：依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线；依据所述第一光强分布曲线和所述第二光强分布曲线，分别获取第一泊松曲线和第二泊松曲线；依据第一泊松曲线和第二泊松曲线，分别获取第一工艺窗口和第二工艺窗口；将所述第一工艺窗口和第二工艺窗口的交集部分，确定为目标工艺窗口。本发明提供的确定纳米光刻技术工艺窗口，能够通过光强曲线经过较少的计算量得到适用的工艺窗口，并有效对工艺窗口进行验证。

本发明授权确定纳米光刻技术工艺窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，其特征在于，所述方法包括： 依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线； 依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线； 依据所述第一光强分布曲线和所述第二光强分布曲线，分别获取第一泊松曲线和第二泊松曲线； 依据第一泊松曲线和第二泊松曲线，分别获取第一工艺窗口和第二工艺窗口； 将所述第一工艺窗口和第二工艺窗口的交集部分，确定为目标工艺窗口； 其中，依据第一泊松曲线，获取第一工艺窗口包括： 依据单线条或单沟道成像模型的目标线宽值和预定的误差范围，确定第一线宽范围； 依据所述第一线宽范围的最大值和最小值，构建垂直于线宽值坐标轴方向的直线； 依据所述直线与所述第一泊松曲线的交点对应的目标光强，构建第一工艺窗口； 其中，依据第二泊松曲线，获取第二工艺窗口包括： 依据多线条成像模型的目标线宽值和预定的误差范围，确定第二线宽范围； 依据所述第二线宽范围的最大值和最小值，构建垂直于线宽值坐标轴方向的直线； 依据所述直线与所述第二泊松曲线的交点对应的目标光强，构建第二工艺窗口。

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