中山大学;复旦大学邓少芝获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学;复旦大学申请的专利一种制备图案化单层二维材料的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115763219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211295202.4,技术领域涉及:H10P14/20;该发明授权一种制备图案化单层二维材料的方法是由邓少芝;刘利伟;许宁生;周鹏设计研发完成,并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备图案化单层二维材料的方法在说明书摘要公布了:本发明实施例提供一种涉及二维原子晶体材料转移技术领域,具有涉及一种制备图案化单层二维材料的方法,所述方法包括:制备上表面具有多个PDMS凸起的图案化PDMS印章,并使所述多个PDMS凸起以预设图案的样式排布;在薄膜衬底上生长连续的单层二维TMDs薄膜;将所述单层二维TMDs薄膜转印到所述PDMS凸起的上表面,得到图案化单层二维TMDs薄膜;将所述图案化单层二维TMDs薄膜转移到目标衬底上,得到图案化单层二维材料。通过所述方法转印图案化单层二维材料解决了现有技术二维材料图案化和转移二维材料流程复杂、成本高昂、耗时长的问题。
本发明授权一种制备图案化单层二维材料的方法在权利要求书中公布了:1.一种制备图案化单层二维材料的方法,其特征在于,所述方法包括: 制备上表面具有多个PDMS凸起的图案化的PDMS印章,并使所述多个PDMS凸起以预设图案的样式排布; 在薄膜衬底上生长连续的单层二维TMDs薄膜; 将所述单层二维TMDs薄膜转印到所述PDMS凸起的上表面,得到图案化单层二维TMDs薄膜; 将所述图案化单层二维TMDs薄膜转移到目标衬底上,得到图案化单层二维材料; 制备上表面具有多个PDMS凸起的图案化的PDMS印章,并使所述多个PDMS凸起以预设图案样式排布,包括: 设计图案化模具; 通过旋涂工艺将所述图案化模具内填满PDMS; 对所述图案化模具内的PDMS进行固化处理; 将固化后的PDMS从所述图案化模具中脱模,得到图案化的PDMS印章; 其中,图案化的PDMS印章的PDMS凸起的尺寸在10~50μm之间,间距在10~50μm; 所述将所述单层二维TMDs薄膜转印到所述PDMS凸起的上表面,得到图案化单层二维TMDs薄膜,包括: 将所述PDMS印章倒置,使所述PDMS印章的PDMS凸起与所述单层二维TMDs薄膜粘贴在一起; 将与所述PDMS凸起粘贴的单层二维TMDs薄膜与所述薄膜衬底分离; 将与所述PDMS凸起上表面接触部分之外的单层二维TMDs薄膜剥离,得到图案化单层二维TMDs薄膜; 所述将与所述PDMS凸起粘贴的单层二维TMDs薄膜与所述薄膜衬底分离,包括: 从所述PDMS印章的侧面向所述薄膜衬底滴入水,使所述单层二维TMDs薄膜与所述薄膜衬底分离; 所述单层二维TMDs薄膜的厚度小于1纳米。
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