中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司李俊获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211419228.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法是由李俊;王琛;胡俊杰;王冲设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底，包括在厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面；漏极沟槽，从衬底的第一表面延伸至衬底的内部；氮化镓基外延叠层，在衬底的第一表面上以及漏极沟槽的内表面上延伸，氮化镓基外延叠层的至少部分区域用于形成二维电子气通道；漏极，位于漏极沟槽内且位于氮化镓基外延叠层的第一位置上；栅极，位于氮化镓基外延叠层的第二位置上；由氮化镓基外延叠层中位于第一位置和第二位置之间的部分形成的二维电子气通道具有沿厚度方向上的分量；如此，利用衬底的厚度方向延长漏极与栅极之间二维电子气通道的长度，从而在占用面积较小的情况下实现较高的耐压。
本发明授权氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 衬底，包括在厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面； 漏极沟槽，从所述衬底的所述第一表面延伸至所述衬底的内部； 氮化镓基外延叠层，在所述衬底的所述第一表面上以及所述漏极沟槽的内表面上延伸，所述氮化镓基外延叠层的至少部分区域用于形成二维电子气通道； 漏极，位于所述漏极沟槽内且位于所述氮化镓基外延叠层的第一位置上； 栅极，位于所述氮化镓基外延叠层的第二位置上； 由所述氮化镓基外延叠层中位于所述第一位置和所述第二位置之间的部分形成的二维电子气通道具有沿所述厚度方向上的分量。
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