中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司安重镒获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111027929.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由安重镒;李相遇;李俊杰;周娜;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，以使得在第一刻蚀停止层内开设孔的形貌与预设方案的形貌相一致，确保下电极形成在该孔内的部分的形貌满足预设方案的要求，提高半导体器件的良率。所述半导体器件包括：基底、第一刻蚀停止层和电容器。第一刻蚀停止层位于基底上。第一刻蚀停止层内掺杂有碳。从上往下碳在第一刻蚀停止层内的掺杂浓度呈半高斯分布，并且第一刻蚀停止层底部的碳的掺杂浓度大于第一刻蚀停止层顶部的碳的掺杂浓度。电容器位于第一刻蚀停止层上。电容器包括下电极、上电极、以及位于下电极和上电极之间的介质层。下电极贯穿第一刻蚀停止层。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底， 位于所述基底上的第一刻蚀停止层；所述第一刻蚀停止层内掺杂有碳；从上往下所述碳在所述第一刻蚀停止层内的掺杂浓度呈半高斯分布，并且第一刻蚀停止层底部的碳的掺杂浓度大于第一刻蚀停止层顶部的碳的掺杂浓度； 位于所述第一刻蚀停止层上的电容器，所述电容器包括下电极、上电极、以及位于所述下电极和所述上电极之间的介质层；所述下电极贯穿所述第一刻蚀停止层； 所述第一刻蚀停止层包括层叠设在所述基底上的多层碳氮化硅子层；从上往下碳在所述多层碳氮化硅子层内的掺杂浓度呈半高斯分布。
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