山东浪潮华光光电子股份有限公司李毓锋获国家专利权
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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种生长在钼非常规衬底的LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111052090.5，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种生长在钼非常规衬底的LED外延片及其制备方法是由李毓锋;张义;王成新设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种生长在钼非常规衬底的LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种生长在钼非常规衬底的LED外延片及其制备方法。所述外延片由下至上依次包括：钼衬底、碳化钼缓冲层、GaN层、n‑GaN层、多量子阱层和p‑GaN层。本发明还提供该外延片的制备方法。本发明在钼衬底上制备了碳化钼缓冲层，碳化钼缓冲层由于表面粗糙，增强背散射光，极大的提高了LED的发光效率。其次碳化钼缓冲层易被腐蚀，使得钼衬底可重复使用。最后碳化钼缓冲层可以获得衬底与GaN外延层之间很低的晶格失配度，克服了在钼上难以直接生长六方晶GaN的问题，并且降低了晶格失配度，减小了GaN外延层与钼衬底之间的应力，提高了LED芯片的性能。
本发明授权一种生长在钼非常规衬底的LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种生长在钼非常规衬底的LED外延片，其特征在于，由下至上依次包括：钼衬底、碳化钼缓冲层、GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层； 所述碳化钼缓冲层的厚度为20~500nm； 所述生长在钼非常规衬底的LED外延片的制备方法，包括步骤如下： 采用金属钼作为衬底，以111晶面为外延面，然后对钼衬底表面进行抛光、清洗以及高温预处理；接着在钼衬底上依次进行碳化钼缓冲层、GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层的外延生长，即得生长在钼非常规衬底的LED外延片。
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