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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利SRAM单元及其形成方法、以及SRAM存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115776818B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111045702.8，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权SRAM单元及其形成方法、以及SRAM存储器件是由金吉松设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM单元及其形成方法、以及SRAM存储器件在说明书摘要公布了：一种SRAM单元及其形成方法、以及SRAM存储器件，方法包括：在形成源漏掺杂区后，对栅极结构及其下方的沟道结构进行切断处理，沿栅极结构延伸方向，去除位于上拉区和传输区之间、及延伸位于传输区的部分数量第二沟道结构上方的预设栅极结构、以及预设栅极结构下方的部分数量第二沟道结构，在传输区的第二沟道结构内形成切断开口，从而调整传输区的第二沟道结构数量，相应调整传输门晶体管的有效沟道宽度，进而调整传输门晶体管和下拉晶体管的饱和电流比例，相应调整SRAM器件的读写裕度；并且，利用栅极切断的工艺对传输器的第二沟道结构进行切断，以调整传输区的第二沟道结构数量，不仅有利于提高工艺兼容性和整合度，而且还有利于节省光罩、降低成本。

本发明授权SRAM单元及其形成方法、以及SRAM存储器件在权利要求书中公布了：1.一种SRAM单元，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括存储单元区，所述存储单元区包括中心对称且相邻接的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域均包括上拉区、下拉区和传输区，分别对应用于形成上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管； 多个分立于所述衬底上的凸起结构，所述凸起结构包括凸起部和位于凸起部上的沟道结构，多个所述凸起结构之间平行间隔排列；所述沟道结构包括位于所述上拉区的第一沟道结构、以及多个沿传输区和下拉区的排列方向延伸且位于传输区和下拉区的第二沟道结构； 隔离层，位于所述衬底上且围绕所述凸起部且暴露出所述沟道结构； 多个器件栅极结构，位于所述隔离层上且横跨沟道结构，多个器件栅极结构之间平行间隔排列，所述器件栅极结构的延伸方向垂直于沟道结构的延伸方向；所述器件栅极结构包括位于所述传输区的传输器件栅极、以及位于所述上拉区和下拉区的拉器件栅极结构；沿器件栅极结构的延伸方向上，所述传输器件栅极和所述拉器件栅极的端部相对设置，且所述传输器件栅极和所述拉器件栅极之间为栅极切断区，在沿平行于衬底的投影面上，所述栅极切断区横跨所述传输区的部分数量第二沟道结构； 源漏掺杂区，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构内，且位于所述传输区的源漏掺杂区下方的凸起部数量，与位于所述下拉区的源漏掺杂区下方的凸起部数量相同； 切断结构，沿所述器件栅极结构的延伸方向，位于所述传输器件栅极和所述拉器件栅极之间，且贯穿所述栅极切断区下方的第二沟道结构。

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